1）高頻段：產品頻段6GHz~40GHz，填補小型化毫米波頻段空白； 2）高功率：采用硅腔體結構，已實測結果:X、Ku頻段: 50W；Ka頻 段：20W； 3）低損耗：實測典型值0.4dB~0.5dB； 4）屏蔽性：采用硅腔體封裝結構，環境適應性好； 5）一致性好：MEMS高精度加工，批量一致性好； 6）其他：具有抗干擾能力強、機械特性優良等特點。
